打印页面
SIZF916DT-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, N沟道+肖特基, 30 V, 30 V, 60 A, 60 A, 900 µohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIZF916DT-T1-GE3
库存编号2932986RL
技术数据表
晶体管极性N沟道+肖特基
通道类型N沟道+肖特基
漏源电压, Vds30V
漏源电压Vds N沟道30V
电流, Id 连续60A
漏源电压Vds P沟道30V
连续漏极电流 Id N沟道60A
在电阻RDS（上）900µohm
连续漏极电流 Id P沟道60A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道900µohm
漏源导通电阻P沟道900µohm
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.2V
晶体管封装类型PowerPAIR
针脚数8引脚
功耗 Pd60W
耗散功率N沟道60W
耗散功率P沟道60W
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Gen IV SkyFET Series
合规-
汽车质量标准-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)Lead (07-Nov-2024)
技术规格
晶体管极性
N沟道+肖特基
漏源电压, Vds
30V
电流, Id 连续
60A
连续漏极电流 Id N沟道
60A
连续漏极电流 Id P沟道
60A
漏源通态电阻N沟道
900µohm
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
PowerPAIR
功耗 Pd
60W
耗散功率P沟道
60W
产品范围
TrenchFET Gen IV SkyFET Series
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
Lead (07-Nov-2024)
通道类型
N沟道+肖特基
漏源电压Vds N沟道
30V
漏源电压Vds P沟道
30V
在电阻RDS（上）
900µohm
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
900µohm
阈值栅源电压最大值
2.2V
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
60W
工作温度最高值
150°C
合规
-
MSL
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (07-Nov-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.003