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双MOSFET:
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漏源电压Vds N沟道
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连续漏极电流 Id N沟道
连续漏极电流 Id P沟道
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晶体管封装类型
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功耗 Pd
耗散功率N沟道
耗散功率P沟道
工作温度最高值
包装
筛选条件已应用
1 筛选条件已选择
| 比较 | 包装规格 | 数量 | |||||||||||||||||||||||||
|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|---|
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY11.320 (CNY12.7916)10+ CNY7.700 (CNY8.701)100+ CNY6.000 (CNY6.780)500+ CNY4.630 (CNY5.2319)1000+ CNY4.140 (CNY4.6782) | 最少：1 / 多个：1 | - | N通道 | 20V | - | 20V | - | - | 8A | 8A | 0.015ohm | - | 0.015ohm | - | NSOIC | - | 8引脚 | - | 3.1W | 3.1W | 150°C | |||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 1+ CNY13.310 (CNY15.0403)25+ CNY11.030 (CNY12.4639)100+ CNY10.000 (CNY11.300)3300+ CNY9.810 (CNY11.0853) | 最少：1 / 多个：1 | - | 互补N与P沟道 | 200V | - | 200V | - | - | - | - | 7ohm | - | 7ohm | - | NSOIC | - | 8引脚 | - | - | - | 150°C | |||||
单件（切割供应） 复卷 包装选项 | 100+ CNY6.000 (CNY6.780)500+ CNY4.630 (CNY5.2319)1000+ CNY4.140 (CNY4.6782) | 最少：100 / 多个：5 | N沟道 | N通道 | 20V | 20V | 20V | 8A | 0.015ohm | 8A | 8A | 0.015ohm | 表面安装 | 0.015ohm | 4.5V | NSOIC | 1.5V | 8引脚 | 3.1W | 3.1W | 3.1W | 150°C | |||||
单件（切割供应） 复卷 包装选项 | 100+ CNY10.000 (CNY11.300)3300+ CNY9.810 (CNY11.0853) | 最少：100 / 多个：1 | 互补N与P沟道 | 互补N与P沟道 | 200V | 200V | 200V | - | 7ohm | - | - | 7ohm | 表面安装 | 7ohm | 10V | NSOIC | 2V | 8引脚 | - | - | - | 150°C | |||||
单件（切割供应） 切割卷带 | 5+ CNY3.990 (CNY4.5087)10+ CNY3.320 (CNY3.7516)100+ CNY2.800 (CNY3.164) | 最少：5 / 多个：5 | - | N通道 | 40V | - | - | - | - | 7.4A | - | - | - | - | - | NSOIC | - | 8引脚 | - | 2.1W | - | 150°C | |||||
单件（切割供应） 复卷 包装选项 | 100+ CNY2.800 (CNY3.164) | 最少：500 / 多个：5 | N沟道 | N通道 | 40V | 40V | - | 7.4A | 0.0162ohm | 7.4A | - | - | 表面安装 | - | 10V | NSOIC | 1.8V | 8引脚 | 2.1W | 2.1W | - | 150°C | |||||
