MOSFET模块:
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工程师
制造商
通道类型
电流, Id 连续
漏源电压, Vds
漏源接通状态电阻
晶体管封装类型
Rds(on)测试电压
阈值栅源电压最大值
晶体管安装
功率耗散
工作温度最高值
针脚数
产品范围
包装
筛选条件已应用
1 筛选条件已选择
比较 | 包装规格 | 数量 | |||||||||||||||||
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每个 | 1+ CNY302.550 (CNY341.8815)5+ CNY288.560 (CNY326.0728)10+ CNY274.550 (CNY310.2415)50+ CNY274.190 (CNY309.8347) | 最少:1 / 多个:1 | N通道 | 400A | 150V | 0.00235ohm | - | 10V | 4.5V | - | 830W | 175°C | - | - | |||||
每个 | 1+ CNY351.080 (CNY396.7204)5+ CNY337.960 (CNY381.8948)10+ CNY324.830 (CNY367.0579)50+ CNY311.700 (CNY352.221) | 最少:1 / 多个:1 | P通道 | 210A | 100V | 0.0075ohm | - | 10V | 4.5V | - | 830W | 150°C | - | TrenchP | |||||
每个 | 1+ CNY218.370 (CNY246.7581)5+ CNY216.830 (CNY245.0179) | 最少:1 / 多个:1 | N通道 | 360A | 100V | 0.0026ohm | - | 100V | 4.5V | - | 830W | 175°C | - | Trench HiperFET | |||||
每个 | 1+ CNY351.650 (CNY397.3645)5+ CNY331.130 (CNY374.1769)10+ CNY310.600 (CNY350.978)50+ CNY290.080 (CNY327.7904)100+ CNY269.550 (CNY304.5915) | 最少:1 / 多个:1 | N Channel | 178A | 100V | 11mohm | SOT-227 | 10V | 4.5V | Module | 830W | 150°C | 4引脚 | LinearL2 Series |