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IPB025N10N3GATMA1
功率场效应管, MOSFET, N通道, 100 V, 180 A, 0.002 ohm, TO-263 (D2PAK), 表面安装
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|---|---|
| 1+ | CNY44.220 (CNY49.9686) |
| 10+ | CNY31.220 (CNY35.2786) |
| 100+ | CNY25.200 (CNY28.476) |
| 500+ | CNY23.600 (CNY26.668) |
| 1000+ | CNY22.000 (CNY24.860) |
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产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IPB025N10N3GATMA1
库存编号2212822
也称为IPB025N10N3 G, SP000469888
技术数据表
通道类型N通道
漏源电压, Vds100V
电流, Id 连续180A
漏源接通状态电阻0.002ohm
晶体管封装类型TO-263 (D2PAK)
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.7V
功率耗散300W
针脚数7引脚
工作温度最高值175°C
产品范围-
合规-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
IPB025N10N3 G 是一款100V N沟道功率MOSFET, 适用于高效率高功率密度SMPS应用。与其他晶体管相比, 这款MOSFET的RDS (导通)和FOM (品质因数)均降低了30％。OptiMOS™ MOSFET具有业界超低的RDS (on)。该器件非常适合高频开关应用, 以及DC-DC转换器。
- 优秀的开关性能
- 环保型
- 高效能
- 高功率密度
- 需要较少的并联
- 占用极小的电路板空间
- 易于设计
警告
该产品的市场需求较大, 导致交货时间延长。交货日期可能会有延迟。该产品不在折扣范围内。
技术规格
通道类型
N通道
电流, Id 连续
180A
晶体管封装类型
TO-263 (D2PAK)
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
300W
工作温度最高值
175°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
漏源电压, Vds
100V
漏源接通状态电阻
0.002ohm
晶体管安装
表面安装
阈值栅源电压最大值
2.7V
针脚数
7引脚
产品范围
-
MSL
MSL 1 -无限制
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法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Malaysia
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.00181