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IRFH4255DTRPBF
双路场效应管, MOSFET, N沟道+肖特基, 25 V, 105 A, 0.0015 ohm
产品信息
制造商INFINEON
制造商产品编号IRFH4255DTRPBF
库存编号2577195RL
也称为SP001575678
技术数据表
晶体管极性N沟道+肖特基
漏源电压, Vds25V
漏源电压Vds N沟道25V
电流, Id 连续105A
漏源电压Vds P沟道-
在电阻RDS（上）0.0012ohm
连续漏极电流 Id N沟道105A
连续漏极电流 Id P沟道-
晶体管安装表面安装
Rds(on)测试电压10V
晶体管封装类型QFN
阈值栅源电压最大值1.6V
针脚数10引脚
功耗 Pd38W
耗散功率N沟道38W
耗散功率P沟道-
工作温度最高值150°C
产品范围FastIRFET HEXFET Series
合规-
汽车质量标准-
产品概述
IRFH4255DTRPBF is a HEXFET® power MOSFET suitable for control and synchronous MOSFETs for synchronous buck converters.
- Control and synchronous MOSFETs in one package
- Low charge control MOSFET (10nC typical)
- Low RDSON synchronous MOSFET (<lt/>2.10mohm)
- Intrinsic schottky diode with low forward voltage on Q2
- Increased power density
- Lower conduction losses
- Environmentally friendlier
- Lower switching losses
- Increased reliability
- Dual PQFN 5.0038mm x 6.0198mm package
技术规格
晶体管极性
N沟道+肖特基
漏源电压Vds N沟道
25V
漏源电压Vds P沟道
-
连续漏极电流 Id N沟道
105A
晶体管安装
表面安装
晶体管封装类型
QFN
针脚数
10引脚
耗散功率N沟道
38W
工作温度最高值
150°C
合规
-
漏源电压, Vds
25V
电流, Id 连续
105A
在电阻RDS（上）
0.0012ohm
连续漏极电流 Id P沟道
-
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
1.6V
功耗 Pd
38W
耗散功率P沟道
-
产品范围
FastIRFET HEXFET Series
汽车质量标准
-
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Mexico
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Mexico
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0001