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IXTN102N65X2
MOSFET晶体管, X2级, N沟道, 76 A, 650 V, 0.03 ohm, 10 V, 5 V, SOT-227B
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
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| 10+ | CNY292.140 (CNY330.1182) |
| 50+ | CNY265.160 (CNY299.6308) |
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产品信息
制造商产品编号IXTN102N65X2
库存编号2674786
技术数据表
通道类型N通道
电流, Id 连续76A
漏源电压, Vds650V
漏源接通状态电阻0.03ohm
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值5V
功率耗散595W
工作温度最高值150°C
产品范围-
SVHC(高度关注物质)Lead (17-Jan-2023)
产品概述
警告
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技术规格
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
650V
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
595W
产品范围
-
电流, Id 连续
76A
漏源接通状态电阻
0.03ohm
阈值栅源电压最大值
5V
工作温度最高值
150°C
SVHC(高度关注物质)
Lead (17-Jan-2023)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：United States
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：Y-Ex
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:Lead (17-Jan-2023)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.03