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NXV65HR82DS2
晶体管, MOSFET, N通道, 26 A, 650 V, 0.073 ohm, 10 V, 5 V
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| 数量 | 价钱 (含税) |
|---|---|
| 1+ | CNY211.330 (CNY238.8029) |
| 5+ | CNY196.590 (CNY222.1467) |
| 10+ | CNY181.850 (CNY205.4905) |
| 50+ | CNY169.410 (CNY191.4333) |
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产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NXV65HR82DS2
库存编号3677748
技术数据表
通道类型N通道
电流, Id 连续26A
漏源电压, Vds650V
漏源接通状态电阻0.073ohm
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值5V
功率耗散126W
工作温度最高值150°C
产品范围-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
650V
Rds(on)测试电压
10V
功率耗散
126W
产品范围
-
电流, Id 连续
26A
漏源接通状态电阻
0.073ohm
阈值栅源电压最大值
5V
工作温度最高值
150°C
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.5