打印页面
SI2302CDS-T1-GE3
场效应管, MOSFET, N通道, 20V, 0.045Ω, 2.6A
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SI2302CDS-T1-GE3
库存编号2524651
技术数据表
漏源接通状态电阻0.057ohm
晶体管封装类型TO-236
晶体管安装Surface Mount
Rds(on)测试电压2.5V
阈值栅源电压最大值850mV
功率耗散710mW
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
湿气敏感性等级-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
技术规格
漏源接通状态电阻
0.057ohm
晶体管安装
Surface Mount
阈值栅源电压最大值
850mV
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
晶体管封装类型
TO-236
Rds(on)测试电压
2.5V
功率耗散
710mW
产品范围
-
湿气敏感性等级
-
SI2302CDS-T1-GE3 的替代之选
找到 1 件产品
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412100
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：0