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SIS590DN-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 100 V, 100 V, 4 A, 4 A, 0.197 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIS590DN-T1-GE3
库存编号3765824RL
产品范围TrenchFET Series
技术数据表
晶体管极性N和P沟道
通道类型N和P沟道
漏源电压, Vds100V
漏源电压Vds N沟道100V
漏源电压Vds P沟道100V
电流, Id 连续4A
连续漏极电流 Id N沟道4A
在电阻RDS（上）0.197ohm
连续漏极电流 Id P沟道4A
漏源通态电阻N沟道0.197ohm
晶体管安装表面安装
漏源导通电阻P沟道0.197ohm
Rds(on)测试电压10V
晶体管封装类型PowerPAK 1212
阈值栅源电压最大值2.5V
针脚数8引脚
功耗 Pd23.1W
耗散功率N沟道23.1W
耗散功率P沟道23.1W
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Series
合规-
汽车质量标准-
SVHC(高度关注物质)No SVHC (21-Jan-2025)
产品概述
N- and P-channel 100V (D-S) MOSFET is typically used in applications such as DC/DC converters, active clamp, brushless DC motors, AC/DC inverter and motor drive switch.
- TrenchFET® power MOSFETs
- Thermally enhanced PowerPAK®
- 100% Rg tested
技术规格
晶体管极性
N和P沟道
漏源电压, Vds
100V
漏源电压Vds P沟道
100V
连续漏极电流 Id N沟道
4A
连续漏极电流 Id P沟道
4A
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
2.5V
功耗 Pd
23.1W
耗散功率P沟道
23.1W
产品范围
TrenchFET Series
汽车质量标准
-
通道类型
N和P沟道
漏源电压Vds N沟道
100V
电流, Id 连续
4A
在电阻RDS（上）
0.197ohm
漏源通态电阻N沟道
0.197ohm
漏源导通电阻P沟道
0.197ohm
晶体管封装类型
PowerPAK 1212
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
23.1W
工作温度最高值
150°C
合规
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (21-Jan-2025)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：China
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (21-Jan-2025)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0005