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SIZ322DT-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 25 V, 25 V, 30 A, 30 A, 5290 µohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIZ322DT-T1-GE3
库存编号2932983RL
技术数据表
通道类型N通道
晶体管极性N沟道
漏源电压Vds N沟道25V
漏源电压, Vds25V
电流, Id 连续30A
漏源电压Vds P沟道25V
连续漏极电流 Id N沟道30A
在电阻RDS（上）0.00529ohm
连续漏极电流 Id P沟道30A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道5290µohm
漏源导通电阻P沟道5290µohm
Rds(on)测试电压10V
阈值栅源电压最大值2.4V
晶体管封装类型PowerPAIR
功耗 Pd16.7W
针脚数8引脚
耗散功率N沟道16.7W
耗散功率P沟道16.7W
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Gen IV Series
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)To Be Advised
SIZ322DT-T1-GE3 的替代之选
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技术规格
通道类型
N通道
漏源电压Vds N沟道
25V
电流, Id 连续
30A
连续漏极电流 Id N沟道
30A
连续漏极电流 Id P沟道
30A
漏源通态电阻N沟道
5290µohm
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
PowerPAIR
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
16.7W
产品范围
TrenchFET Gen IV Series
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
To Be Advised
晶体管极性
N沟道
漏源电压, Vds
25V
漏源电压Vds P沟道
25V
在电阻RDS（上）
0.00529ohm
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
5290µohm
阈值栅源电压最大值
2.4V
功耗 Pd
16.7W
耗散功率N沟道
16.7W
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Israel
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:To Be Advised
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.003