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SIZ322DT-T1-GE3
双路场效应管, MOSFET, N通道, 25 V, 25 V, 30 A, 30 A, 0.00529 ohm
图片仅用于图解说明，详见产品说明。
产品信息
制造商VISHAY
制造商产品编号SIZ322DT-T1-GE3
库存编号2932983RL
技术数据表
晶体管极性N沟道
通道类型N通道
漏源电压Vds N沟道25V
漏源电压, Vds25V
电流, Id 连续30A
漏源电压Vds P沟道25V
连续漏极电流 Id N沟道30A
在电阻RDS（上）0.00529ohm
连续漏极电流 Id P沟道30A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.00529ohm
Rds(on)测试电压10V
漏源导通电阻P沟道0.00529ohm
晶体管封装类型PowerPAIR
阈值栅源电压最大值2.4V
功耗 Pd16.7W
针脚数8引脚
耗散功率N沟道16.7W
耗散功率P沟道16.7W
工作温度最高值150°C
产品范围TrenchFET Gen IV Series
合规-
汽车质量标准-
MSLMSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)To Be Advised
SIZ322DT-T1-GE3 的替代之选
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技术规格
晶体管极性
N沟道
漏源电压Vds N沟道
25V
电流, Id 连续
30A
连续漏极电流 Id N沟道
30A
连续漏极电流 Id P沟道
30A
漏源通态电阻N沟道
0.00529ohm
漏源导通电阻P沟道
0.00529ohm
阈值栅源电压最大值
2.4V
针脚数
8引脚
耗散功率P沟道
16.7W
产品范围
TrenchFET Gen IV Series
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
To Be Advised
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
25V
漏源电压Vds P沟道
25V
在电阻RDS（上）
0.00529ohm
晶体管安装
表面安装
Rds(on)测试电压
10V
晶体管封装类型
PowerPAIR
功耗 Pd
16.7W
耗散功率N沟道
16.7W
工作温度最高值
150°C
合规
-
MSL
MSL 1 -无限制
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Taiwan
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:To Be Advised
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.003