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NTMC083NP10M5L
双路场效应管, MOSFET, N和P沟道, 100 V, 100 V, 4.1 A, 4.1 A, 0.0594 ohm
产品信息
制造商ONSEMI
制造商产品编号NTMC083NP10M5L
库存编号3787297RL
技术数据表
通道类型N和P沟道
晶体管极性N和P沟道
漏源电压, Vds100V
漏源电压Vds N沟道100V
电流, Id 连续4.1A
漏源电压Vds P沟道100V
连续漏极电流 Id N沟道4.1A
在电阻RDS（上）0.0594ohm
连续漏极电流 Id P沟道4.1A
晶体管安装表面安装
漏源通态电阻N沟道0.0594ohm
漏源导通电阻P沟道0.0594ohm
Rds(on)测试电压10V
晶体管封装类型SOIC
阈值栅源电压最大值1.9V
针脚数8引脚
功耗 Pd3.1W
耗散功率N沟道3.1W
耗散功率P沟道3.1W
工作温度最高值150°C
产品范围-
合规-
汽车质量标准-
湿气敏感性等级MSL 1 -无限制
SVHC(高度关注物质)No SVHC (27-Jun-2024)
产品概述
Power, dual N- and P-channel (100V, 83mohm, 4.5A, -100V, 131ohm, -3.6A) MOSFET is typically used in power tools, battery operated vacuums, UAV/drones, material handling, motor drive and home automation applications.
- Small footprint (5 x 6mm) for compact design
- Low RDS(on) to minimize conduction losses
- Low QG and capacitance to minimize driver losses
- Not ESD protected
- Low conduction loss, standard footprint
技术规格
通道类型
N和P沟道
漏源电压, Vds
100V
电流, Id 连续
4.1A
连续漏极电流 Id N沟道
4.1A
连续漏极电流 Id P沟道
4.1A
漏源通态电阻N沟道
0.0594ohm
Rds(on)测试电压
10V
阈值栅源电压最大值
1.9V
功耗 Pd
3.1W
耗散功率P沟道
3.1W
产品范围
-
汽车质量标准
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (27-Jun-2024)
晶体管极性
N和P沟道
漏源电压Vds N沟道
100V
漏源电压Vds P沟道
100V
在电阻RDS（上）
0.0594ohm
晶体管安装
表面安装
漏源导通电阻P沟道
0.0594ohm
晶体管封装类型
SOIC
针脚数
8引脚
耗散功率N沟道
3.1W
工作温度最高值
150°C
合规
-
湿气敏感性等级
MSL 1 -无限制
技术文档 (1)
法律与环境
原产地：
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地：Philippines
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号：85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规：是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (27-Jun-2024)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量（千克）：.0001