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产品概述
The IXFN140N20P is a PolarHT™ single N-channel enhancement-mode Power MOSFET with fast intrinsic diode (HiPerFET™). It features reduced static drain-to-source ON-resistance and high power density.
- International standard packages
- Unclamped inductive switching (UIS) rating
- Low package inductance - Easy to drive and to protect
- Easy to mount
- Space saving
警告
Market demand for this product has caused an extension in leadtimes. Delivery dates may fluctuate. Product exempt from discounts.
技术规格
通道类型
N通道
漏源电压, Vds
200V
晶体管封装类型
ISOTOP
阈值栅源电压最大值
5V
功率耗散
680W
针脚数
4引脚
湿气敏感性等级
-
电流, Id 连续
140A
漏源接通状态电阻
0.018ohm
Rds(on)测试电压
10V
晶体管安装
模块
工作温度最高值
175°C
产品范围
-
SVHC(高度关注物质)
No SVHC (17-Jan-2023)
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法律与环境
原产地:
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
进行最后一道重要生产流程所在的地区原产地:Germany
进行最后一道重要生产流程所在的地区
税则号:85412900
US ECCN:EAR99
EU ECCN:NLR
RoHS 合规:是
RoHS
RoHS 邻苯二甲酸盐合规:是
RoHS
SVHC:No SVHC (17-Jan-2023)
下载产品合规证书
产品合规证书
重量(千克):.311618