MOSFET模块:

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电流, Id 连续
漏源电压, Vds
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晶体管封装类型
Rds(on)测试电压
阈值栅源电压最大值
晶体管安装
功率耗散
工作温度最高值
针脚数
产品范围
包装
筛选条件已应用
1 筛选条件已选择
比较包装规格数量
3513308

RoHS

每个
1+
CNY405.770
(CNY458.5201)
5+
CNY355.050
(CNY401.2065)
10+
CNY294.190
(CNY332.4347)
50+
CNY263.750
(CNY298.0375)
100+
CNY246.960
(CNY279.0648)
最少:1 / 多个:1
N通道
400A
150V
0.00193ohm
-
10V
3.46V
-
909W
175°C
-
-
3513307

RoHS

每个
1+
CNY188.910
(CNY213.4683)
5+
CNY181.460
(CNY205.0498)
10+
CNY174.010
(CNY196.6313)
50+
CNY166.560
(CNY188.2128)
100+
CNY159.100
(CNY179.783)
最少:1 / 多个:1
N通道
435A
100V
0.00215ohm
-
10V
3.8V
-
652W
175°C
-
TrenchFET Series
1427319

RoHS

每个
1+
CNY207.390
(CNY234.3507)
5+
CNY195.990
(CNY221.4687)
10+
CNY184.590
(CNY208.5867)
50+
CNY173.190
(CNY195.7047)
100+
CNY161.780
(CNY182.8114)
最少:1 / 多个:1
N通道
140A
200V
0.018ohm
ISOTOP
10V
5V
模块
680W
175°C
4引脚
-
3438388

RoHS

每个
1+
CNY227.630
(CNY257.2219)
5+
CNY216.480
(CNY244.6224)
10+
CNY205.330
(CNY232.0229)
50+
CNY194.180
(CNY219.4234)
100+
CNY185.650
(CNY209.7845)
最少:1 / 多个:1
N通道
420A
100V
0.0023ohm
-
10V
5V
-
1.07kW
175°C
-
GigaMOS HiperFET
1427321

RoHS

每个
1+
CNY206.530
(CNY233.3789)
5+
CNY195.350
(CNY220.7455)
10+
CNY184.160
(CNY208.1008)
50+
CNY172.970
(CNY195.4561)
100+
CNY161.780
(CNY182.8114)
最少:1 / 多个:1
N通道
150A
150V
0.011ohm
ISOTOP
10V
5V
模块
680W
175°C
4引脚
-
3771785

RoHS

每个
1+
CNY240.890
(CNY272.2057)
5+
CNY212.020
(CNY239.5826)
10+
CNY183.150
(CNY206.9595)
50+
CNY178.250
(CNY201.4225)
100+
CNY173.350
(CNY195.8855)
最少:1 / 多个:1
N Channel
480A
75V
-
SOT-227
10V
5V
Module
940W
175°C
4引脚
Trench T2 GigaMOS HiperFET Series
1427322

RoHS

每个
1+
CNY214.570
(CNY242.4641)
5+
CNY196.890
(CNY222.4857)
10+
CNY179.200
(CNY202.496)
50+
CNY170.490
(CNY192.6537)
100+
CNY161.780
(CNY182.8114)
最少:1 / 多个:1
N通道
200A
100V
0.0075ohm
ISOTOP
15V
5V
模块
680W
175°C
4引脚
Polar(TM) HiPerFET
2784061

RoHS

每个
1+
CNY218.370
(CNY246.7581)
5+
CNY216.830
(CNY245.0179)
最少:1 / 多个:1
N通道
360A
100V
0.0026ohm
-
100V
4.5V
-
830W
175°C
-
Trench HiperFET
1-8 项,共 8 项
,共 1 页

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